描述：CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫(xiě)，本公司生產(chǎn)的單溫區CVD管式爐系統是利用管式爐加熱，把構成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入爐管內，在爐管內使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
| 品牌 | 其他品牌 | 升溫速度（達到最高溫） | 60/min |
|---|---|---|---|
| 內部尺寸 | φ50--φ200mm | 加熱方式 | 合金電阻絲 |
| 最大功率 | 6000kW | 控溫精度 | ±1℃℃ |
| 最高溫度 | 1200℃ | 價(jià)格區間 | 面議 |
| 儀器種類(lèi) | 管式爐 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
| 應用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
CVD系統應用：
CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫(xiě)，本公司生產(chǎn)的單溫區CVD管式爐系統是利用管式爐加熱，把構成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入爐管內，在爐管內使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
CVD系統分類(lèi)：
CVD技術(shù)常常通過(guò)反應類(lèi)型或者壓力來(lái)分類(lèi)，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來(lái)保證它的分類(lèi)，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。
CSK2-12DZ系列單溫區CVD系統組成：
CVD系統=管式爐+真空抽氣系統+多路供氣系統（或者液態(tài)蒸發(fā)系統）
CSK2-12DZ系列單溫區CVD系統配置選擇：
管式爐：
SK2-12DZ 管式真空氣氛爐，1200℃，管徑：50—200mm
真空抽氣系統：
LVSE-0.1低真空控制系統
HVSE高真空控制系統
多路供氣系統：
ZDS-X多路質(zhì)子流量計控制供氣系統
FDS-X多路浮子流量計控制供氣系統
PECVD系統：
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
PECVD系統的中文名是等離子增強化學(xué)氣相沉積系統。是在CVD的基礎上加一個(gè)射頻電源，這個(gè)射頻電源通過(guò)感應線(xiàn)圈使管式爐爐管內氣體形成等離子體，等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點(diǎn)。PECVD是由單溫區CVD管式爐系統再加一個(gè)PE500射頻電源、線(xiàn)圈組成。
